SN74CBTLV3257RSVR Texas Instrument ອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກ

Kinglionski ເປັນມືອາຊີບທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ SN74CBTLV3257RSVR Texas Instrument Electronic Components ຜູ້ຜະລິດ. Kinglionski ແມ່ນຕົວແທນແລະຈໍາຫນ່າຍຂອງ Texas Instruments model SN74CBTLV3257RSVR, ສຸມໃສ່ການຄ້າຕ່າງປະເທດຂອງອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກສໍາລັບການ 12 ປີ. ມັນພຽງແຕ່ເຮັດໃຫ້ການຫຸ້ມຫໍ່ໃຫມ່ແລະຕົ້ນສະບັບ, ດ້ວຍລາຄາທີ່ເຫມາະສົມແລະມີຄຸນນະພາບສູງ, ແລະໃຫ້ບໍລິການສ່ວນໃຫຍ່ຂອງຕະຫຼາດເອີຣົບແລະອາເມລິກາ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ຄຸນນະພາບສູງ SN74CBTLV3257RSVR Texas Instrument ອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ຜະລິດໃນປະເທດຈີນ. SN74CBTLV3257RSVR ເປັນຂອງ 3.3-V, 2:1 (SPDT), ສະວິດອະນາລັອກ 4 ຊ່ອງທີ່ມີໂໝດການປິດເຄື່ອງບາງສ່ວນຂອງ Texas Instruments(TI).ອຸປະກອນ SN74CBTLV3257 ແມ່ນ FET ຄວາມໄວສູງ 4-ບິດ 1 ຂອງ 2. multiplexer ແລະ demultiplexer. ການປ້ອນຂໍ້ມູນເລືອກ (S) ຄວບຄຸມການໄຫຼເຂົ້າຂອງຂໍ້ມູນ.

FET multiplexers ແລະ demultiplexers ຖືກປິດໃຊ້ງານເມື່ອ output-enable (OE) input ສູງ. ອຸປະກອນນີ້ແມ່ນໄດ້ລະບຸໄວ້ຢ່າງເຕັມທີ່ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຫຼຸດຜ່ອນບາງສ່ວນໂດຍການນໍາໃຊ້ Ioff. ຄຸນສົມບັດ Ioff ຮັບປະກັນວ່າກະແສໄຟຟ້າທີ່ເສຍຫາຍຈະບໍ່ໄຫຼຜ່ານອຸປະກອນເມື່ອມັນຖືກໄຟລົງ. ເພື່ອຮັບປະກັນສະຖານະ impedance ສູງໃນລະຫວ່າງການພະລັງງານຂຶ້ນຫຼືພະລັງງານລົງ, OE ຄວນຖືກຜູກມັດກັບ VCC ຜ່ານຕົວຕ້ານທານດຶງ; ຄ່າຕໍ່າສຸດຂອງຕົວຕ້ານທານແມ່ນຖືກກໍານົດໂດຍຄວາມສາມາດໃນການຈົມລົງໃນປະຈຸບັນຂອງຜູ້ຂັບຂີ່.

ອຸປະກອນ SN74CBTLV3257 ແມ່ນ 4-bit 1-of-2 FET multiplexer/demultiplexer ຄວາມໄວສູງ. ການປ້ອນຂໍ້ມູນເລືອກ (S) ຄວບຄຸມການໄຫຼເຂົ້າຂອງຂໍ້ມູນ. ອຸປະກອນນີ້ແມ່ນໄດ້ລະບຸໄວ້ຢ່າງເຕັມທີ່ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຫຼຸດຜ່ອນບາງສ່ວນໂດຍການນໍາໃຊ້ Ioff. ຄຸນສົມບັດ Ioff ຮັບປະກັນວ່າກະແສໄຟຟ້າທີ່ເສຍຫາຍຈະບໍ່ໄຫຼຜ່ານອຸປະກອນເມື່ອມັນຖືກໄຟລົງ.

ອຸປະກອນມີການໂດດດ່ຽວໃນລະຫວ່າງການປິດໄຟ. ເພື່ອຮັບປະກັນສະຖານະ impedance ສູງໃນລະຫວ່າງການພະລັງງານຂຶ້ນຫຼືພະລັງງານລົງ, OE ຄວນຖືກຜູກມັດກັບ VCC ຜ່ານຕົວຕ້ານທານດຶງ; ຄ່າຕໍ່າສຸດຂອງຕົວຕ້ານທານແມ່ນຖືກກໍານົດໂດຍຄວາມສາມາດໃນການຈົມລົງໃນປະຈຸບັນຂອງຜູ້ຂັບຂີ່.

ຄຸນສົມບັດຜະລິດຕະພັນ

ປະເພດ	ຄຸນນະສົມບັດຜະລິດຕະພັນຕົ້ນຕໍ
SN74CBTLV3257RSVR	5-Î©ສະຫຼັບການເຊື່ອມຕໍ່ລະຫວ່າງສອງພອດ
	ການສະຫຼັບທາງລົດໄຟໄປຫາທາງລົດໄຟໃນປອດຂໍ້ມູນ I/O
	Ioff ຮອງຮັບການເຮັດວຽກຂອງໂໝດພະລັງງານລົງບາງສ່ວນ
	ປະສິດທິພາບ Latch-Up ເກີນ 100 mA ຕໍ່ JESD 78, ຫ້ອງຮຽນ II