ເອເລັກໂຕຣນິກ STM32F429BIT6

STM32F429BIT6 Electronics ເປັນຂອງສາຍທີ່ກ້າວຫນ້າທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ, Arm Cortex-M4 core ກັບ DSP ແລະ FPU, 2 Mbytes ຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ Flash, 180 MHz CPU, ART Accelerator, Chrom-ART Accelerator, FMC ກັບ SDRAM, TFT.

ອຸປະກອນ STM32F429BIT6 ແມ່ນອີງໃສ່ Arm® ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ; Cortex®-M4 32-bit RISC core ເຮັດວຽກຢູ່ທີ່ຄວາມຖີ່ສູງສຸດ 180 MHz. ຫຼັກ Cortex-M4 ມີລັກສະນະເປັນຫນ່ວຍບໍລິການຈຸດລອຍ (FPU) ຄວາມແມ່ນຍໍາດຽວທີ່ສະຫນັບສະຫນູນ Arm® singleprecision data-processing ຄໍາແນະນໍາແລະປະເພດຂໍ້ມູນ. ມັນຍັງປະຕິບັດຊຸດຄໍາແນະນໍາ DSP ເຕັມຮູບແບບແລະຫນ່ວຍປ້ອງກັນຄວາມຊົງຈໍາ (MPU) ເຊິ່ງຊ່ວຍເພີ່ມຄວາມປອດໄພຂອງແອັບພລິເຄຊັນ.

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ

ອຸປະກອນ STM32F429BIT6 ລວມເອົາຄວາມຊົງຈໍາທີ່ຝັງໄວ້ຄວາມໄວສູງ (ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ Flash ເຖິງ 2 Mbyte, ເຖິງ 256 Kbytes ຂອງ SRAM), ເຖິງ 4 Kbytes ຂອງ SRAM ສຳຮອງ, ແລະຫຼາກຫຼາຍຂອງ I/Os ແລະອຸປະກອນຕໍ່ພ່ວງທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ກັບລົດເມ APB ສອງຄັນ, ລົດເມ AHB ສອງຄັນ ແລະ 32-bit multi-AHB bus matrix.

ອຸປະກອນທັງຫມົດສະເຫນີສາມ ADC 12-bit, ສອງ DACs, ເປັນ RTC ພະລັງງານຕ່ໍາ, ສິບສອງເຄື່ອງຈັບເວລາ 16-bit ຈຸດປະສົງທົ່ວໄປລວມທັງເຄື່ອງຈັບເວລາ PWM ສອງຕົວສໍາລັບການຄວບຄຸມມໍເຕີ, ສອງເຄື່ອງຈັບເວລາ 32-bit ຈຸດປະສົງທົ່ວໄປ. ພວກເຂົາເຈົ້າຍັງສະແດງການໂຕ້ຕອບການສື່ສານມາດຕະຖານແລະກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ.

ຄຸນສົມບັດຜະລິດຕະພັນ

2.1 ລັກສະນະຜະລິດຕະພັນຕົ້ນຕໍ
ຫຼັກ: ແຂນ® 32-bit Cortex®-M4 CPU ກັບ FPU, ຕົວເລັ່ງເວລາຈິງແບບປັບຕົວໄດ້ (ART Acceleratorâ¹¢) ອະນຸຍາດໃຫ້ປະຕິບັດສະຖານະ 0-wait ຈາກຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ Flash, ຄວາມຖີ່ສູງເຖິງ 180 MHz, MPU, 225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1. ), ແລະຄໍາແນະນໍາ DSP
ໜ່ວຍຄວາມຈຳ â ໜ່ວຍຄວາມຈຳ Flash ສູງສຸດ 2 MB ຈັດເປັນສອງທະນາຄານອະນຸຍາດໃຫ້ອ່ານ-ຂຽນໃນຂະນະທີ່ຂຽນໄດ້ â​rau​​ໄດ້ເຖິງ 256+4 KB ຂອງ SRAM ລວມທັງ 64-KB ຂອງ CCM (ໜ່ວຍຄວາມຈຳຫຼັກຄູ່) RAM ຂໍ້ມູນພາຍນອກທີ່ຍືດຫຍຸ່ນໄດ້ ຕົວຄວບຄຸມຄວາມຊົງຈໍາທີ່ມີລົດເມຂໍ້ມູນສູງສຸດ 32-bit: SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, Compact Flash/NOR/NAND ຄວາມຊົງຈໍາ
ການໂຕ້ຕອບ LCD ຂະຫນານ, 8080/6800 ໂຫມດ
ຕົວຄວບຄຸມ LCD-TFT ທີ່ມີຄວາມລະອຽດທີ່ສາມາດວາງແຜນໄດ້ຢ່າງສົມບູນ (ຄວາມກວ້າງທັງຫມົດເຖິງ 4096 pixels, ຄວາມສູງທັງຫມົດເຖິງ 2048 ເສັ້ນແລະໂມງ pixels ລວງສູງສຸດ 83 MHz)